《GB/T 4937.4-2012 半導體器件 機械和氣候試驗方法 第4部分：強加速穩態(tài)濕熱試驗（HAST）》標準

《GB/T 4937.4-2012 半導體器件 機械和氣候試驗方法 第4部分：強加速穩態(tài)濕熱試驗（HAST）》是中國國家標準化委員會(huì )發(fā)布的標準，用于評估半導體器件在高溫高濕環(huán)境下的可靠性和適應性。該標準規定了強加速穩態(tài)濕熱試驗的方法和要求。

強加速穩態(tài)濕熱試驗（HAST）是一種常用的環(huán)境應力試驗方法，用于模擬高溫高濕條件下的工作環(huán)境。在試驗中，半導體器件被暴露在高溫高濕的環(huán)境中，以加速可能出現的可靠性問(wèn)題，例如濕度導致的腐蝕、界面反應、電遷移等。

一、范圍：
GB/T 4937的本部分規定了強加速穩態(tài)濕熱試驗(HAST)方法，用于評價(jià)非氣密封裝半導體器件在潮濕的環(huán)境下的可靠性。

二、試驗項目：
強加速穩態(tài)濕熱試驗。

三、試驗設備：
HAST蒸汽壽命試驗機。

四、設備廠(chǎng)商：
環(huán)儀儀器

五、試驗程序（部分）：

程序
受試器件應以一定的方式安裝，暴露在規定的溫濕度環(huán)境中，并施加規定的偏置電壓。器件應避免暴露于過(guò)熱、干燥或導致器件和電夾具上產(chǎn)生冷凝水的環(huán)境中，尤其在試驗應力上升和下降過(guò)程中。

上升
達到穩定的溫度和相對濕度環(huán)境的時(shí)間應少于3 h。通過(guò)保證在整個(gè)試驗時(shí)間內試驗箱的干球溫度超過(guò)濕球溫度來(lái)避免產(chǎn)生冷凝﹐并且上升的速率不能太快以確保受試器件(DUT)的溫度不低于濕球溫度。在干燥的實(shí)驗室，試驗箱的初始環(huán)境比較干燥，應保持干球和濕球溫度，使加熱開(kāi)始后相對濕度不低于50%。

下降
第一階段下降到比較小的正表壓(濕球溫度大約104 ℃)，為避免試驗樣品快速減壓，這段時(shí)間應足夠長(cháng)，但不能超過(guò)3 h。第二階段濕球溫度從104 ℃到室溫，可通過(guò)試驗箱的通風(fēng)口來(lái)實(shí)現。此階段不限制時(shí)間，并且允許使用冷卻壓力容器。在下降的兩個(gè)階段，都應通過(guò)保證在整個(gè)試驗時(shí)間內試驗箱干球溫度超過(guò)濕球溫度來(lái)避免在器件上產(chǎn)生冷凝水﹐下降過(guò)程應保持封裝芯片的模塑材料的潮氣含量。
而且第一階段的相對濕度應不低于50%(見(jiàn)5.1)。

《GB/T 4937.4-2012》標準規定了HAST試驗的裝置、試驗樣品的選擇和準備、試驗條件、試驗過(guò)程和評定方法等方面的要求。通過(guò)該標準進(jìn)行的強加速穩態(tài)濕熱試驗可以幫助制造商和使用者了解半導體器件在高溫高濕環(huán)境下的可靠性表現，指導產(chǎn)品設計和改進(jìn)工藝。