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          《GB/T 36356-2018 功率半導體發(fā)光二極管芯片技術(shù)規范》標準

          時(shí)間:2023-07-01 09:01:22 作者:環(huán)儀小編 點(diǎn)擊:次

          GB/T 36356-2018 是中國國家標準中關(guān)于功率半導體發(fā)光二極管芯片技術(shù)規范的標準。該標準為該領(lǐng)域的設計、制造和測試提供了規范和指導。


          一、范圍:
          本標準規定了功率半導體發(fā)光二極管芯片產(chǎn)品(以下簡(jiǎn)稱(chēng)芯片)的技術(shù)要求、檢驗方法、檢驗規則、包裝、運輸和儲存等。
          本標準適用于功率半導體發(fā)光二極管芯片。


          二、試驗項目:
          溫度循環(huán)試驗、循環(huán)濕熱試驗,恒加速度試驗等。


          三、試驗設備:
          溫度沖擊試驗箱、離心機等。

          《GB/T 36356-2018 功率半導體發(fā)光二極管芯片技術(shù)規范》標準(圖1)


          四、設備廠(chǎng)商:
          環(huán)儀儀器


          五、試驗程序(部分):

          1. 溫度循環(huán)
          溫度循環(huán)試驗按GB/T 2423.22-2012的規定進(jìn)行,試驗后符合3.5.3的規定。

          2. 循環(huán)濕熱
          循環(huán)濕熱試驗按GB/T 2423.4-2008的規定進(jìn)行,試驗后符合3.5.4的規定。

          3. 恒定加速度(適用于空腔封裝器件)
          恒定加速度試驗按GB/T 2423.15-2008的規定進(jìn)行,試驗后符合3.5.5的規定。


          GB/T 36356-2018 是在中國廣泛應用于功率半導體發(fā)光二極管芯片的技術(shù)規范標準,有助于推動(dòng)該領(lǐng)域的標準化和質(zhì)量控制。


          標簽: 試驗標準

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