半導體器件測試用模擬高原低氣壓試驗箱

模擬高原低氣壓試驗箱在半導體元器件的測試應用中，滿(mǎn)足《GB/T 4937.2-2006 半導體器件 機械和氣候試驗方法 第2部分:低氣壓》標準，為了模擬這種環(huán)境，可以使用模擬高原低氣壓試驗箱進(jìn)行試驗。

該試驗標準是模擬飛機或其他飛行器在高空飛行中所遇到的低氣壓條件來(lái)進(jìn)行的。此項模擬高空條件的試驗，還可以用來(lái)檢驗低氣壓下的其他效應對元器件工作特性的影響。

試驗程序：

1. 樣品應按規定放置在密封室內，并按規定把氣壓減小到某個(gè)試驗條件。把樣品保持在規定的氣壓下，對它們進(jìn)行規定的試驗。在試驗期間及試驗前的20 min 內，試驗溫度應為25℃±10℃。對器件施加規定的電壓，在從常壓到規定的最低氣壓并恢復到常壓的整個(gè)過(guò)程中監測器件是否出現故障。

2. 在試驗的最后,將樣品從密封室中移出并在標準大氣條件下保持2 h~24 h。樣品上吸附的冰和水汽應預先除去。

3. 在測試過(guò)程中，可以記錄半導體器件在不同氣壓、溫度下的性能參數，以評估其抗氣壓性能、耐氣壓變化性能和氣密性能等指標。

模擬高原低氣壓試驗箱需要符合相應的標準，如GB/T 10590-2006《高低溫/低氣壓試驗箱技術(shù)條件》等。使用這種試驗箱進(jìn)行半導體器件測試可以更好地模擬實(shí)際環(huán)境，提高測試數據的準確性和可靠性，對于半導體器件的研發(fā)和生產(chǎn)具有重要意義。

如需了解更多關(guān)于模擬高原低氣壓試驗箱的信息，可以咨詢(xún)“環(huán)儀儀器”相關(guān)技術(shù)人員。