IC晶片的溫濕度貯存試驗

根據《GB/T 4937.42-2023 半導體器件 機械和氣候試驗方法 第42部分：溫濕度貯存》標準的要求，IC晶片需要進(jìn)行溫濕度貯存試驗。溫濕度貯存試驗又分為濕熱試驗和不飽和高壓蒸煮試驗。試驗過(guò)程中，用到哪些設備？下面我們來(lái)看看。

一、濕熱試驗：

1. 試驗設備：交變濕熱試驗箱
2. 試驗要求
a. 40℃、90%RH，持續8000h的存儲試驗。
b. 60℃、90%RH，持續4000h的存儲試驗。
c. 85℃、85%RH，持續1000h的存儲試驗。

二、不飽和高壓蒸煮試驗：

1. 試驗設備：HAST不飽蒸汽壽命試驗機
2. 試驗要求
a. 110℃、85%RH，持續264h的存儲試驗。
b. 120℃、85%RH，持續168h的存儲試驗。
c. 130℃、85%RH，持續96h的存儲試驗。

試驗完成且確保試驗箱內的溫濕度恢復到接近規定的溫濕度曲線(xiàn)時(shí)，將器件從試驗箱中取出，并放置在室溫下。器件應在室溫環(huán)境下保持2h后開(kāi)始進(jìn)行電性能測試，直至測試完畢。

在不飽和高壓蒸煮試驗下，試驗完成后處理器件時(shí)應小心謹慎，因為可能會(huì )發(fā)生不同于其他試驗導致的失效模式，此類(lèi)失效模式是由于冷凝、溫度和壓力突變和其他相關(guān)因素造成的。