《GB/T 4937.42-2023 半導體器件 機械和氣候試驗方法 第42部分:溫濕度貯存》是中國國家標準化委員會(huì )發(fā)布的標準,用于評估半導體器件在溫濕度貯存條件下的性能和可靠性。該標準規定了溫濕度貯存試驗的方法和要求。
一、范圍:
本文件規定了評價(jià)半導體器件耐高溫高濕環(huán)境能力的試驗方法。
本文件用來(lái)評價(jià)塑封半導體器件和其他類(lèi)型封裝半導體器件的芯片金屬化互連耐腐蝕能力。也可作為由于濕氣通過(guò)鈍化層滲透而導致漏電的加速方法,以及多種試驗前的預處理方法。
二、試驗項目:
溫濕度貯存。
三、試驗設備:
恒溫恒濕試驗箱、HAST不飽和蒸汽壽命試驗機。
四、設備廠(chǎng)商:
環(huán)儀儀器
五、試驗程序(部分):
溫濕度條件應從表1中選取。除相關(guān)文件另有規定外,使用條件C。對規定條件D、E和F,除相關(guān)文件另有規定外,應依據圖1的曲線(xiàn),從試驗開(kāi)始到結束對溫度進(jìn)行控制,在升溫和降溫期間對濕度進(jìn)行控制。應注意,現場(chǎng)使用中不會(huì )發(fā)生的外引線(xiàn)電鍍金屬間短路(漏電),在條件C (85 “℃、85% RH)和條件D、E和F(不飽和高壓蒸汽試驗)下,可能會(huì )發(fā)生而造成失效。
試驗持續時(shí)間
除相關(guān)文件另有規定外,試驗持續時(shí)間應依據表1。當試驗持續時(shí)間依據相關(guān)文件的規定時(shí),還應在相關(guān)文件中記錄并增加加速和擴散模型,該模型用來(lái)估計使用條件下的水汽暴露持續時(shí)間。在條件D、E和F下,應從氣壓和溫度穩定后開(kāi)始計時(shí),如圖1所示。
通過(guò)溫濕度貯存試驗,可以評估半導體器件在長(cháng)時(shí)間貯存過(guò)程中的性能穩定性和可靠性,檢測器件是否受到溫濕度變化的影響。試驗結果可以用于產(chǎn)品質(zhì)量控制、可靠性改進(jìn)以及長(cháng)期貯存環(huán)境條件的確定等方面。