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          熱真空試驗箱組件實(shí)驗時(shí)的試驗原則

          時(shí)間:2023-04-13 09:16:44 作者:環(huán)儀小編 點(diǎn)擊:次

          熱真空實(shí)驗為航天工程用品和材料必做實(shí)驗,熱真空實(shí)驗可以考核航天用品和材料的熱設計,發(fā)現其在熱真空環(huán)境下的環(huán)境適應性。實(shí)驗組裝在實(shí)驗的時(shí)候有什么試驗原則呢?下面我們來(lái)了解一下。


          熱真空試驗箱實(shí)驗組件的試驗原則:


          如果組件對真空環(huán)境不敏感,可以不做組件級熱真空試驗,反之,只要滿(mǎn)足以下條件中的一條時(shí),則應該在真空環(huán)境中做試驗:


          1.性能對真空和溫度敏感的射頻組件。


          2.在最壞情況下, 組件的熱耗大于50W。


          3.沒(méi)有飛行經(jīng)驗的組件或沒(méi)有在熱真空試驗中經(jīng)過(guò)設計鑒定的組件。


          4.對壓力敏感的組件。


          熱真空試驗箱


          5.溫度控制在 3℃范圍以?xún)纫跃S持性能的組件。


          6.供配電組件。


          7.如果密封裝置在最壞情況下出現物理性的變形,使得裝置的外殼與附近的器件之,間的間隙可能引起短路(如2.5mm間隙)。


          8.容易出現電暈或微放電的組件。


          9.帶有高壓(大于 200V)且負載易出現電暈或微放電的組件。


          10.帶有射頻高功率可能受電暈或微放電影響的組件。


          11.電性能 受正常環(huán)境和真空熱環(huán)境之間溫度差影響的組件。


          12.熱分析模型表明在空氣中對組件內部的溫度水平和線(xiàn)路板的溫度梯度有明顯影響(大于10℃)的組件。


          13.在熱耗最壞情況下,元器件外殼的預示溫度在允許的降額溫度限10℃以?xún)鹊慕M件。


          14.如果確定了組件對真空不敏感而用常壓熱循環(huán)試驗來(lái)代替熱真空試驗,考慮到由熱模型預示真空和常壓環(huán)境二者之間連接面的溫度差別,常壓下熱循環(huán)試驗應增加組件底板的溫度。在最壞情況下,二種環(huán)境之間的溫度差有以下幾種:


          a.溫度差小于3℃, 可以用常壓熱循環(huán)試驗代替熱真空試驗,不用修正底板溫度。


          b.溫度差在3℃~10℃之間,如果其余的原則都滿(mǎn)足時(shí),可以用常壓熱循環(huán)試驗代替真空試驗,底板溫度可適當提高。


          c.溫度差大于10℃,應該在真空環(huán)境中作試驗。


          如果鑒定試驗時(shí)組件的底板溫度超過(guò)驗收試驗的底板溫度10℃, 則b項和c項試驗規定的10℃的限制可以提高到相應的更高的底板溫度。


          標簽: 熱真空試驗箱

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